应用规格 |
产品类型 |
产品型号 |
封装 |
耐压/内阻规格 |
工作模式 |
产品特性 |
产品状态 |
交付时间 |
| 20W 单电压 |
初级主控 | SW1112 | ESOP7/8 | 内置GaN 650V 1.6R Typ./2.2R Max. | QR/DCM | 初级合封产品SW111X系列特点: 1. SW111X系列采用高性价比ESOP合封氮化镓封装。 2. VCC耐压高达100V,适配宽电压输出,节省外部LDO线路 3. 优秀的谷底锁定控制,更好的系统纹波和噪声。 4. 自适应的驱动控制技术优化EMI和各种工况下的次级应力。 5. 自适应输出电压的LPS过流调节技术。 6. 更低的CS限制电压和高压降频处理具有更高的系统效率。 7. 支持高达130Khz高频应用。 次级同步整流系列特点: 1. 采用SOP8封装,高性价比,同时适配单面板应用。 2. 支持高达600KHz应用的工作频率。 3. 支持高侧和低侧两种应用。 4. 智能导通检测,防止DCM下误开通。 5. 兼容CCM,QR和DCM多种工作模式。 |
Coming Soon | / |
| 次级同步 | SW1616 | SOP8 | 内置MOS 65V 10.5mR Typ./12mR Max. | CCM/QR/DCM | Sample | 1-3 days | ||
| SW1615 | SOP8 | 内置MOS 60V 15mR Typ./18mR Max. | Coming Soon | / | ||||
| 18W-23W 全电压 |
初级主控 | SW1113 | ESOP7/8 | 内置GaN 650V 1.0R Typ./1.6R Max. | QR/DCM | Coming Soon | / | |
| 次级同步 | SW1616 | SOP8 | 内置MOS 65V 10.5mR Typ./12mR Max. | CCM/QR/DCM | Sample | 1-3 days | ||
| SW1615 | SOP8 | 内置MOS 60V 15mR Typ./18mR Max. | Coming Soon | / | ||||
| 23W-30W 全电压 |
初级主控 | SW1115 | ESOP7/8 | 内置GaN 650V 0.62R Typ./0.8R Max. | QR/DCM | Coming Soon | / | |
| 次级同步 | SW1616 | SOP8 | 内置MOS 65V 10.5mR Typ./12mR Max. | CCM/QR/DCM | Sample | 1-3 days | ||
| SW1615 | SOP8 | 内置MOS 60V 15mR Typ./18mR Max. | Coming Soon | / | ||||
| 30W-36W 全电压 |
初级主控 | SW1116 | ESOP7/8 | 内置GaN 650V 0.47R Typ./0.6R Max. | QR/DCM | Coming Soon | / | |
| 次级同步 | SW1655 | SOP8 | 内置MOS 100V 8.3mR Typ./10mR Max. | CCM/QR/DCM | MP | 3-6 Weeks | ||
| SW1654 | SOP8 | Coming Soon | / | |||||
| 36W-45W 全电压 |
初级主控 | SW1118 | ESOP7/8 | 内置GaN 650V 0.365R Typ./0.48R Max. | QR/DCM | Coming Soon | / | |
| SW1121P | QFN5*6 | 集成HV启动,QFN5*6封装散热更好 | MP | 3-6 Weeks | ||||
| SW1123N | QFN6*8 | 集成HV启动,QFN6*8封装散热更好 SW1123N为HV桥前取电,支持X电容放电和输入过压保护 SW1123P为HV桥后取电 |
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| SW1123P | QFN6*8 | |||||||
| 次级同步 | SW1655 | SOP8 | 内置MOS 100V 8.3mR Typ./10mR Max. | CCM/QR/DCM | 封装脚位兼容MK1XXX等 | MP | 3-6 Weeks | |
| SW1654 | SOP8 | 封装脚位兼容OB200X等 | Coming Soon | / | ||||
| SW1656 | DFN5*6 | 内置MOS 100V 6.2mR Typ./8mR Max. | 采用DFN5*6封装加强散热,内阻更低,支持更大功率应用。 | Sample | 1-3 days | |||
| 45W-70W 全电压 |
初级主控 | SW1102 | SOT23-6 | 外驱E-Mode GaN | QR/DCM | 小体积SOT23-6封装高频QR主控,成本更低,同时外围更简洁。 | Coming Soon | / |
| SW1106N | SSOP10 | MP | 3-6 Weeks | |||||
| SW1106P | SSOP10 | |||||||
| SW1125N | QFN6*8 | 内置GaN 650V 0.165R Typ/0.26R Max. | 集成HV启动,QFN6*8封装散热更好 SW1125N为HV桥前取电,支持X电容放电和输入过压保护 SW1125P为HV桥后取电 |
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| SW1125P | QFN6*8 | |||||||
| SW1132N | SSOP10 | 外驱D-Mode GaN和Cool MOS | 初级PWM主控SW11XX系列特点: 1. VCC耐压高达100V,适配宽电压输出,节省外部LDO线路 2. 优秀的谷底锁定控制,更好的系统纹波和噪声。 3. 自适应的驱动控制技术优化EMI和各种工况下的次级应力。 4. 自适应输出电压的LPS过流调节技术。 5. 更低的CS限制电压和高压降频处理具有更高的系统效率。 6. 支持高达130Khz的QR工作模式控制器。 7. SW110X系列为E-Mode氮化镓直驱控制器 8. SW113X系列为D-Mode氮化镓和Cool MOS控制器。 9. 兼容XX134X的P2P替换,仅需改变外围器件参数,性能更佳。 |
Sample | 1-3 days | |||
| SW1132P | SSOP10 | |||||||
| 次级同步 | SW1608 | SOT23-6 | 外驱MOS | CCM/QR/DCM | MP | 3-6 Weeks | ||
| SW1656 | DFN5*6 | 内置MOS 100V 6.2mR Typ./8mR Max. | Sample | 1-3 days | ||||
| 70W-150W 全电压 |
初级主控 | SW1102 | SOT23-6 | 外驱E-Mode GaN | QR/DCM | Coming Soon | / | |
| SW1106N | SSOP10 | MP | 3-6 Weeks | |||||
| SW1106P | SSOP10 | |||||||
| SW1132N | SSOP10 | 外驱D-Mode GaN和Cool MOS | Sample | 1-3 days | ||||
| SW1132P | SSOP10 | |||||||
| 次级同步 | SW1608 | SOT23-6 | 外驱MOS | CCM/QR/DCM | 耐压高达150V,支持高侧和低侧高频应用 | MP | 3-6 Weeks |
