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广东省深圳市南山区南光路东华创业园5栋402室

应用规格
产品类型
产品型号
封装
耐压/内阻规格
工作模式
产品特性
产品状态
交付时间
20W
单电压
初级主控 SW1112 ESOP7/8  内置GaN 650V  1.6R Typ./2.2R Max. QR/DCM
初级合封产品SW111X系列特点:

1. SW111X系列采用高性价比ESOP合封氮化镓封装。
2. VCC耐压高达100V,适配宽电压输出,节省外部LDO线路
3. 优秀的谷底锁定控制,更好的系统纹波和噪声。
4. 自适应的驱动控制技术优化EMI和各种工况下的次级应力。
5. 自适应输出电压的LPS过流调节技术。
6. 更低的CS限制电压和高压降频处理具有更高的系统效率。
7. 支持高达130Khz高频应用。


次级同步整流系列特点:

1. 采用SOP8封装,高性价比,同时适配单面板应用。
2. 支持高达600KHz应用的工作频率。
3. 支持高侧和低侧两种应用。
4. 智能导通检测,防止DCM下误开通。
5. 兼容CCM,QR和DCM多种工作模式。



Coming Soon /
次级同步 SW1616 SOP8  内置MOS 65V   10.5mR Typ./12mR Max. CCM/QR/DCM Sample 1-3 days
SW1615 SOP8  内置MOS 60V   15mR Typ./18mR Max. Coming Soon /
18W-23W
全电压
初级主控 SW1113 ESOP7/8  内置GaN 650V  1.0R Typ./1.6R Max. QR/DCM Coming Soon /
次级同步 SW1616 SOP8  内置MOS 65V   10.5mR Typ./12mR Max. CCM/QR/DCM Sample 1-3 days
SW1615 SOP8  内置MOS 60V   15mR Typ./18mR Max. Coming Soon /
23W-30W
全电压
初级主控 SW1115 ESOP7/8  内置GaN 650V  0.62R Typ./0.8R Max. QR/DCM Coming Soon /
次级同步 SW1616 SOP8  内置MOS 65V   10.5mR Typ./12mR Max. CCM/QR/DCM Sample 1-3 days
SW1615 SOP8  内置MOS 60V   15mR Typ./18mR Max. Coming Soon /
30W-36W
全电压
初级主控 SW1116 ESOP7/8  内置GaN 650V  0.47R Typ./0.6R Max. QR/DCM Coming Soon /
次级同步 SW1655 SOP8 内置MOS 100V  8.3mR Typ./10mR Max. CCM/QR/DCM MP 3-6 Weeks
SW1654 SOP8 Coming Soon /
36W-45W
全电压
初级主控 SW1118 ESOP7/8  内置GaN 650V  0.365R Typ./0.48R Max. QR/DCM Coming Soon /
SW1121P QFN5*6 集成HV启动,QFN5*6封装散热更好 MP 3-6 Weeks
SW1123N QFN6*8 集成HV启动,QFN6*8封装散热更好
SW1123N为HV桥前取电,支持X电容放电和输入过压保护
SW1123P为HV桥后取电
SW1123P QFN6*8
次级同步 SW1655 SOP8 内置MOS 100V  8.3mR Typ./10mR Max. CCM/QR/DCM 封装脚位兼容MK1XXX等 MP 3-6 Weeks
SW1654 SOP8 封装脚位兼容OB200X等 Coming Soon /
SW1656 DFN5*6  内置MOS 100V  6.2mR Typ./8mR Max. 采用DFN5*6封装加强散热,内阻更低,支持更大功率应用。 Sample 1-3 days
45W-70W
全电压
初级主控 SW1102 SOT23-6 外驱E-Mode GaN QR/DCM 小体积SOT23-6封装高频QR主控,成本更低,同时外围更简洁。 Coming Soon /
SW1106N SSOP10
MP 3-6 Weeks
SW1106P SSOP10
SW1125N QFN6*8  内置GaN 650V  0.165R Typ/0.26R Max. 集成HV启动,QFN6*8封装散热更好
SW1125N为HV桥前取电,支持X电容放电和输入过压保护
SW1125P为HV桥后取电
SW1125P QFN6*8
SW1132N SSOP10 外驱D-Mode GaN和Cool MOS
初级PWM主控SW11XX系列特点:

1. VCC耐压高达100V,适配宽电压输出,节省外部LDO线路
2. 优秀的谷底锁定控制,更好的系统纹波和噪声。
3. 自适应的驱动控制技术优化EMI和各种工况下的次级应力。
4. 自适应输出电压的LPS过流调节技术。
5. 更低的CS限制电压和高压降频处理具有更高的系统效率。
6. 支持高达130Khz的QR工作模式控制器。
7. SW110X系列为E-Mode氮化镓直驱控制器
8. SW113X系列为D-Mode氮化镓和Cool MOS控制器。
9. 兼容XX134X的P2P替换,仅需改变外围器件参数,性能更佳。
Sample 1-3 days
SW1132P SSOP10
次级同步 SW1608 SOT23-6 外驱MOS CCM/QR/DCM MP 3-6 Weeks
SW1656 DFN5*6  内置MOS 100V  6.2mR Typ./8mR Max. Sample 1-3 days
70W-150W
全电压
初级主控 SW1102 SOT23-6 外驱E-Mode GaN QR/DCM Coming Soon /
SW1106N SSOP10 MP 3-6 Weeks
SW1106P SSOP10
SW1132N SSOP10 外驱D-Mode GaN和Cool MOS Sample 1-3 days
SW1132P SSOP10
次级同步 SW1608 SOT23-6 外驱MOS CCM/QR/DCM  耐压高达150V,支持高侧和低侧高频应用 MP 3-6 Weeks